《SOCASIC设计、验证和测试方法学》高清文字版
基本信息
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内容介绍
目录:
"第1章 微米芯片10
1.1 引言10
1.2 电子管的发明17
1.3 晶体管的发明18
1.4 微米芯片22
1.4.1 微米芯片的诞生22
1.4.2 电子器件百年史25
1.4.3 微米芯片实例28
1.5 Moore定律31
1.6 材料的选择36
1.7 器件结构的创新41
1.7.1 微米芯片的关键技术41
1.7.2 双极型晶体管42
1.7.3 异质结双极型晶体管45
1.7.4 MOS场效应晶体管46
1.7.5 异质结场效应晶体管50
1.7.6 双极
CMOS器件53
1.8 制造技术的创新55
1.8.1 薄膜制备技术57
1.8.2 图形发生技术82
1.8.3 双极
CMOS技术工程84
第2章 MOS纳米芯片90
2.1 引言90
2.2 特征长度94
2.3 MOS纳米芯片的发展98
2.4 MOS纳米芯片的基本技术工程102
2.4.1 双阱工程102
2.4.2 浅槽隔离工程106
2.4.3 多晶硅栅工程108
2.4.4 轻掺杂源/漏区注入工程109
2.4.5 侧墙形成工程111
2.4.6 高掺杂源/漏区注入工程112
2.4.7 接触孔金属形成工程113
2.4.8 互连工程114
2.5 180nm技术节点纳米芯片122
2.6 130nm技术节点纳米芯片131
2.6.1 双阈值电压CMOS芯片131
2.6.2 高密度Etox^™快闪存储器139
2.7 90nm技术节点纳米芯片147
2.7.1 应变硅CMOS晶体管147
2.7.2 90nm技术节点纳米芯片的互连155
2.7.3 90nm技术节点纳米芯片实例159
2.8 65nm技术节点纳米芯片162
2.8.1 增强型应变硅CMOS晶体管163
2.8.2 193nm波长和交互相移掩膜相结合的光刻技术170
2.8.3 65nm技术节点互连171
2.8.4 65nm技术节点原型纳米芯片173
2.9 45nm、32nm、22nm技术节点纳米芯片174
2.10 数字和模拟兼容纳米芯片178
2.10.1 电路和工艺流程179
2.10.2 高压RF模拟CMOS180
2.10.3 SiGe HBT184
2.10.4 无源元件186
2.10.5 测试电路190
第3章 纳米芯片的候选器件和工程技术192
3.1 引言192
3.2 MOS纳米器件发展中的关键制约因素193
3.3 ITRS建议的非经典候选MOS纳米晶体管197
3.3.1 增强输运CMOS纳米晶体管204
3.3.2 超薄体SOI CMOS纳米晶体管204
3.3.3 源和漏电极工程210
3.3.4 N栅(N>2)MOSFET210
3.3.5 双栅MOSFET210
3.4 Intel研究的非经典候选MOS纳米晶体管221
3.4.1 候选三栅MOS纳米晶体管223
3.4.2 候选纳米线MOS晶体管226
3.4.3 候选纳米管MOS晶体管227
3.4.4 候选Ⅲ
Ⅴ FET器件231
3.5 非MOS候选纳米器件236
3.5.1 光子晶体器件236
3.5.2 快速单磁通量子器件237
3.5.3 自旋器件240
3.6 控制栅革新工程246
3.6.1 栅氧的按比例缩小246
3.6.2 高k介质材料250
3.6.3 金属栅254
3.6.4 候选纳米器件中高k栅介质和金属栅的作用255
3.7 源和漏革新工程265
3.7.1 源/漏工程266
3.7.2 超浅结的形成266
3.7.3 SDE的按比例缩小268
3.7.4 最小的SDE对栅的交迭268
3.7.5 最小化的SDE结深270
3.8 沟道和衬底革新工程271
3.8.1 倒掺杂阱工程272
3.8.2 SSRW的基本原理275
3.8.3 Halo工程276
3.8.4 Halo阱工程杂质剖面的基本原理277
3.8.5 电源电压和阈值电压的选择因素279
3.8.6 绝缘层上的Si单晶衬底281
3.8.7 高迁移率沟道工程283
3.9 互连革新工程298
3.9.1 互连对时间延迟和功耗的影响300
3.9.2 互连的低k介质膜302
3.9.3 Cu互连304
3.9.4 65nm和45nm技术节点的互连310
3.9.5 可能的候选互连316
3.10 光刻革新工程318
3.11 清洗革新工程323
3.12 非传统纳米芯片制造技术324
3.13 纳米芯片制造技术评述327
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